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此外，哥汤国制告针对于锑元素掺杂机理的研究，哥汤国制告通过XRD，XPS，SEM以及TEM等表征手段，该团队发现在溶剂热法合成硒化锡微晶的过程中，掺入的锑元素显示-3价，其能够取代硒的位置并生成额外的硒空位，因而使该材料体系展现出n型半导体特性。通过工艺参数的改进得到了尺寸为70mm×50mm×15mm的超大单晶，克鲁其质量达到148g，远超之前所报道的水平。
斯新式预相关工作发表在国际顶级能源材料期刊Energy StorageMaterials（EnergyStorageMater.10(2018):130-138）。片美（c）制得的原始SnSe样品。由于普通硒化锡半导体中空穴为多数载流子，布正n型多晶硒化锡块体一般较难实现。
SnSe作为一种典型的半导体热电材料，阿汤拥有如下特点：阿汤（1）在~800 K发生相变，从正交Pnma结构变为正交Cmcm结构，（2）具有较高的载流子浓度，并能够通过引入空位进一步提高载流子浓度。哥汤国制告（g）其在SnSe-plane的线扫结果。
克鲁（d）烧结块体的HREM和SAED。
该团队通过溶剂热法第一次实现了肉眼可观察的近毫米级SnSe单晶片，斯新式预如图2所示，其平均尺寸为100微米以上，最大尺寸可达到约1毫米。在商业面前，片美科技与创新，成为星港家居最闪光的标签。
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